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SanDisk NAND閃存部門近期宣布公司將開始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個(gè)一便士硬幣還要小，而傳輸速率可達(dá)144Mbps，也就是18MB/s。

    它可用于平板、智能機(jī)、固態(tài)硬盤等設(shè)備，由于較大的密度和較小的外形，我們可以在不久后看到1TB以上容量的SSD，并且還有更低的售價(jià)。

SanDisk與東芝聯(lián)合開發(fā)最小的128Gb NAND閃存芯片。該芯片使用3比特多層單元設(shè)計(jì)(TLC)和19納米制程。U盤廠家

該芯片只有170.6平方毫米面積，是SanDisk的第五代TLC技術(shù)。它使用所謂的全比特線(ABL)編碼和SanDisk白皮書中所描述的許多技術(shù)來達(dá)到18MB/秒的寫入速度和400MB/秒的toggle-mode(切換模式)接口速度。深圳U盤廠家

例如，該白皮書寫道：
“在我們的第一代X3中，我們達(dá)到了8MB/秒的寫入性能。19納米制程讓我們的性能提升許多。流程和單元結(jié)構(gòu)上的改變，比如Air Gap(空氣間隙)，可以彌補(bǔ)一些損耗，但是這還不夠。在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們采用了16KB頁面大小并將性能提高一倍;采用溫度補(bǔ)償機(jī)制來實(shí)現(xiàn)10%的性能提升;使用一個(gè)增強(qiáng)的3步驟編碼來將FG(浮動(dòng)門)-FG耦合降低95%。這些設(shè)計(jì)特點(diǎn)和流程/結(jié)構(gòu)上的變化讓我們?cè)?9納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上可以達(dá)到18MB/秒的速度。”定制U盤
該芯片已經(jīng)量產(chǎn)。SanDisk表示使用該芯片的產(chǎn)品已經(jīng)在2011年底開始發(fā)售——盡管它沒有說是什么產(chǎn)品。兼容MicroSD的64Gb版本的芯片已經(jīng)開發(fā)出來并已經(jīng)開始準(zhǔn)備生產(chǎn)。

該公司表示它的128Gb TLC芯片在一些應(yīng)用上有足夠的性能來代替2比特MLC芯片，并清楚地暗示是在智能手機(jī)、平板電腦和SSD(固態(tài)驅(qū)動(dòng)器)領(lǐng)域。

這款芯片的成本經(jīng)濟(jì)性也是一個(gè)大家關(guān)心的問題。一款128GB容量的SSD如果采用128Gb TLC芯片的話就會(huì)比使用2比特芯片的SSD明顯便宜許多，因?yàn)槭褂肨LC芯片就不用那么多個(gè)芯片了。U盤

不過比起MLC，TLC的耐用性，也就是寫入周期，要差很多，差不多要低五倍以上。SanDisk沒有披露它的耐用性。這是一個(gè)不好的信號(hào)。我們可以想象在3比特產(chǎn)品上要進(jìn)行許多過量配置，因此相比2比特產(chǎn)品的成本優(yōu)勢(shì)會(huì)被抵消許多。個(gè)性U盤定制

在SanDisk和東芝披露使用它們的TLC芯片的實(shí)際產(chǎn)品之前，我們不知道耐用性統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，也不知道要通過多少過量配置——盡管會(huì)損失成本優(yōu)勢(shì)——來達(dá)到可接受的耐用性水平，也不知道會(huì)用什么樣的更好的控制器技術(shù)來在TLC單元接近工作壽命之前將可用數(shù)據(jù)提取出來。定做U盤

被蘋果收購的控制器公司Anobit表示它的單處理技術(shù)可以讓TLC閃存的工作壽命和MLC閃存一樣。如果控制器技術(shù)和過量配置可以為TLC NAND SSD以及其它閃存驅(qū)動(dòng)器格式(比如PCIe卡)提供可接受和可承受的耐用性，那么未來6到8個(gè)月內(nèi)隨著TLC產(chǎn)品的上市，我們將看到閃存產(chǎn)品的容量將有一個(gè)大的提升。U盤定制

SanDisk和東芝在2月22日舊金山舉行的國際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC)上暢談它們的小型NAND芯片技術(shù)。在此之前，OCZ已經(jīng)在CES 2012(國際消費(fèi)者電子展)上展示了一款TLC驅(qū)動(dòng)器。英特爾和美光也有TLC技術(shù)，很有可能將在今年晚些時(shí)候推出20納米制程的TLC芯片。三星也一樣。閃存市場(chǎng)將在未來幾個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)許多TLC產(chǎn)品。