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論9月內(nèi)存價(jià)格為何逆市反彈 (圖).........2011-09-20
半個(gè)月前曾有單條4G內(nèi)存將跌破100元（相關(guān)文章：?jiǎn)螚l4G或?qū)⒌?00）的消息流出，不過(guò)近期的內(nèi)存行情并未向我們預(yù)計(jì)的那樣發(fā)展。就在大家一片看跌的時(shí)候，本周內(nèi)存價(jià)格悄悄出現(xiàn)了反彈，并且連續(xù)四天上揚(yáng)近10%。縱觀2011年，跌一直都是內(nèi)存價(jià)格的關(guān)鍵詞，單條2G從年初的150元到如今的75元，跌幅已然100%。來(lái)到9月份內(nèi)存價(jià)格的跌勢(shì)卻逐漸放緩，更似乎有企穩(wěn)之勢(shì)，內(nèi)存價(jià)格難道真的是到了跌無(wú)可跌的地步嗎？
根據(jù)集邦調(diào)查顯示，由于近期買(mǎi)氣回暖，從8月23日開(kāi)始內(nèi)存顆粒價(jià)格開(kāi)始小幅上漲，隨后一周再次進(jìn)行下行區(qū)間。隨著開(kāi)學(xué)臨近學(xué)生返校，學(xué)生裝機(jī)潮拉動(dòng)內(nèi)存需求，同時(shí)9月10-12日的中秋假期重疊，更是原本低迷的內(nèi)存市場(chǎng)拉至一個(gè)小高峰。
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)全線(xiàn)上漲
受到日系以及多家臺(tái)系內(nèi)存顆粒廠商的減產(chǎn)效應(yīng)影響，現(xiàn)貨市場(chǎng)陸續(xù)出現(xiàn)價(jià)格反彈走勢(shì)，價(jià)格上揚(yáng)雖不過(guò)短短數(shù)天，但已顯現(xiàn)供應(yīng)端減產(chǎn)效應(yīng)所帶動(dòng)的價(jià)格支撐，讓低迷已久的現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈的契機(jī)。目前以DDR3 2Gb顆粒來(lái)計(jì)算，內(nèi)存顆粒單價(jià)的合約價(jià)同現(xiàn)貨價(jià)差價(jià)已經(jīng)縮小至12%，DRAM廠莫不冀望能借著旺季需求，把這波現(xiàn)貨價(jià)格的反彈反應(yīng)至合約市場(chǎng)中，終止嚴(yán)峻的合約價(jià)格走勢(shì)。
影響因素一：廠商減產(chǎn)自救初現(xiàn)成效
日本大廠爾必達(dá)近日宣布，因應(yīng)日?qǐng)A兌美元匯率攀升，近年來(lái)DRAM價(jià)格急速下跌，該公司面臨嚴(yán)苛經(jīng)營(yíng)環(huán)境，考慮將日本廣島工廠部分產(chǎn)能，分階段轉(zhuǎn)移到成本競(jìng)爭(zhēng)力較高的臺(tái)灣子公司瑞晶電子生產(chǎn)力晶8日宣布PC DRAM投片量將減少50%，減產(chǎn)幅度約4萬(wàn)片，總產(chǎn)能減產(chǎn)幅度約30%。南亞科也傳出減產(chǎn)幅度擴(kuò)大至20%，而華亞科也加入減產(chǎn)行列，整體減少產(chǎn)能約5~10%，減少部分主要是南亞科的產(chǎn)能。
這一系列的廠商減產(chǎn)直接導(dǎo)致了庫(kù)存消化回補(bǔ)，帶動(dòng)DRAM價(jià)格跌深反彈。不僅如此，DRAM現(xiàn)貨價(jià)回升，合約價(jià)跌幅趨緩，令各大內(nèi)存顆粒廠商的股價(jià)也相繼漲停。臺(tái)系DRAM廠制程工藝落后率先減產(chǎn)，面臨經(jīng)營(yíng)困境，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移有助降低成本，對(duì)消化庫(kù)存也有幫助；在市場(chǎng)不景氣，技術(shù)轉(zhuǎn)型期間減少產(chǎn)能，有助DRAM市況供給改善。
但仔細(xì)分析就能發(fā)現(xiàn)，這次減產(chǎn)風(fēng)波涉及的廠商多為臺(tái)系廠商，生產(chǎn)工藝多為40-60nm，生產(chǎn)成本早已高過(guò)DDR3 2GB合約價(jià)最低10.5美元價(jià)位，減產(chǎn)勢(shì)在必行。而三星和海力士擁有20-30nm的制程工藝，在2季度仍有盈利率，相對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都出現(xiàn)大規(guī)模赤字，這兩家企業(yè)都表示沒(méi)有減產(chǎn)。
影響因素之二：內(nèi)存更新?lián)Q代 2G DDR3-1333抬價(jià)離場(chǎng)
能否優(yōu)先導(dǎo)入先進(jìn)制程已經(jīng)成為各內(nèi)存廠家獲利關(guān)鍵，從早期一個(gè)制程技術(shù)可以沿用一年甚至兩年的周期，轉(zhuǎn)為現(xiàn)今一年橫跨兩個(gè)制程技術(shù)，時(shí)至今日，各廠仍積極轉(zhuǎn)進(jìn)40nm甚至30nm制程，雖然每一個(gè)制程技術(shù)可以較前代技術(shù)增加20%-30%產(chǎn)出量，但提升良率的穩(wěn)定度卻日益困難，40nm制程質(zhì)量問(wèn)題頻傳，一再挑戰(zhàn)DRAM廠30nm制程后的研發(fā)技術(shù)能力。
三星預(yù)計(jì)20nm制程預(yù)計(jì)下半年正式導(dǎo)入量產(chǎn)，30nm良率亦達(dá)到成熟穩(wěn)定的階段，成本上的優(yōu)勢(shì)亦讓三星暫無(wú)任何減產(chǎn)的考慮，持續(xù)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)業(yè)市占率的目標(biāo)不變。因此在最新的內(nèi)存廠家營(yíng)收榜單上三星位居榜首。
但30nm的內(nèi)存條卻遲遲不能在市場(chǎng)上普及，究其原因無(wú)非市面上的40-60nm的內(nèi)存（多為DDR3-1333內(nèi)存）存貨依舊很多，要先清完市場(chǎng)上的存貨，為新工藝產(chǎn)品讓路。但之前的降價(jià)，讓高價(jià)囤貨的商家無(wú)利可圖，因此在40-60nm內(nèi)存退市前，利用減產(chǎn)新聞帶來(lái)的影響，抬高內(nèi)存價(jià)格緩和損失。
總結(jié)：所以綜合來(lái)看，這一波內(nèi)存漲價(jià)的成因無(wú)非以上兩點(diǎn)。技術(shù)落后的內(nèi)存顆粒廠家試圖通過(guò)減產(chǎn)來(lái)改善市場(chǎng)內(nèi)的供求關(guān)系，前段時(shí)間高價(jià)囤貨的商家經(jīng)過(guò)低價(jià)抄底后試圖在抬高價(jià)格降低損失，均是人為控制或者炒作所致。因此作為普通消費(fèi)者，完全沒(méi)有必要為這種行為買(mǎi)單。
最后補(bǔ)上一條消息，三星已經(jīng)在日本秋葉原出貨8GB單條內(nèi)存，而部分Intel主板已經(jīng)支持單條8G內(nèi)存。主流單條內(nèi)存容量恐怕是要從2G、4G進(jìn)化成4G、8G了，可見(jiàn)2G內(nèi)存最后的日子亦不多矣。
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