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行業重要消息：IBM內存技術獲重大突破 比閃存速度提高百倍（多圖）
IBM于周四(6月30日)宣布在計算機內存技術方面取得一項技術突破。這項技術開發出的固態芯片能夠存儲與NAND閃存技術一樣多的數據。但是，性能將提高100倍并且使用壽命更長。
目前，固態硬盤等NAND閃存產品的寫入速度最高可達每秒2GB。
IBM的相變內存芯片使用寬度為90納米的電路。同NAND閃存一樣，PCM也是非易失的芯片。這就意味著在關閉電源之后，這種芯片仍然能夠保留數據。
IBM稱，它已經生產出相變內存(PCM)芯片，每個單元可存儲2個字節數據，沒有數據損壞問題。數據損壞是PCM芯片開發從一開始就遇到的問題。
IBM稱，PCM內存的檫寫周期最多可達500萬次。在蘇黎世的IBM研究所的通信經理Christopher Sciacca稱，如果你能夠向閃存芯片寫入3000次，那將超過大多數手機和MP3播放機的使用壽命。但是，這對于用一個小時進行這種操作的企業來說肯定是不夠的。
IBM研究所內存與探索技術主管Haris Pozidis稱，隨著機構和消費者越來越多地使用云計算模式和服務，需要更強大、更有效率和價格適中的存儲技術。在過去的五個月里，IBM科學家一直在測試每個單元能夠存儲2個和3個字節數據的多層單元(MLC)芯片。這意味著這種芯片已經達到可以實際應用的可靠性水平。
除了在企業和云中應用之外，PCM內存還將用于DRAM內存的擴展。
與NAND閃存不同的是，PCM內存在新的數據寫入之前不需要把現有的數據標記為刪除。這個過程稱作檫寫周期。檫寫周期減慢了NAND閃存的性能，并且隨著時間的推移使NAND閃存損壞，使NAND閃存在消費者產品中的使用壽命為5000至10000次檫寫周期，在企業級產品中的使用壽命為10萬次檫寫周期。
Pozidis稱，另一種應用情況是，處理器能夠直接與PCM內存芯片通訊，但是，處理器以為它是在與使用控制器的DRAM內存通訊。再說一次，熱門數據與DRAM內存通訊，不熱門的數據與PCM內存通訊。
作為一個新技術，PCM內存目前將用于替代美光科技、三星和海力士半導體等公司目前生產的NOR、EEPROM和NVRAM等芯片。
目前的技術是單層單元(SLC)PCM芯片，每個單元僅存儲1個字節數據，存儲容量有限。例如，三星為其GT-E2550 GSM手機生產的512MB PCM芯片。美光科技Numonyx部門生產一種128MB的PCM芯片并且向一些客戶提供這種產品。客戶將在網絡設備、醫療監視設備和安全攝像頭中使用這種芯片。
Pozidis稱，DRAM內存將繼續用作處理器的最接近的內存設備以處理最活躍的數據，而PCM內存可以用于不經常訪問的數據。PCM內存有更大的存儲容量，可以作為存儲庫。如果這個數據變成熱門數據，PCM內存可以把這個數據重新放到DRAM內存中。
IBM科學家稱，他們在對PCM芯片進行測試的過程中，最糟糕的延遲情況是大約10微秒，比現在市場上最高級的閃存技術性能高100倍。
Pozidis稱，IBM不打算生產消費者級的PCM內存芯片產品。這個技術的主要目標是向東芝和三星等內存廠商出售許可證，幫助這些廠商加快生產用于企業的內存芯片.
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