位置導(dǎo)航：網(wǎng)站首頁(yè)<<<Ｕ盤行業(yè)知識(shí)<<<海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒
海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒
隨著東芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合資廠受地震影響，3月份主流的MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約達(dá)5-15%，但3月下旬的部份TLC合約均價(jià)則出現(xiàn)約10%的跌幅，主要是因有些供貨商其2xnm TLC新產(chǎn)品采取了較優(yōu)惠的定價(jià)策略，以吸引記憶卡及UFD客戶于1Q季底前增加其采購(gòu)量。但2Q NAND Flash市場(chǎng)的供需狀況仍將會(huì)受到一些供需不確定因素的影響 就需求面而言：1.) 2Q的記憶卡及UFD通路市場(chǎng)仍將受傳統(tǒng)淡季效應(yīng)的影響。2.) 考慮災(zāi)后日本市場(chǎng)對(duì)NAND Flash終端產(chǎn)品的需求短期內(nèi)將可能會(huì)下降，以及部份NAND Flash終端產(chǎn)品的出貨量將受限于零件短缺或業(yè)者遞延部份新產(chǎn)品的鋪貨時(shí)程等因素而減少，故也將可能會(huì)影響到2Q或3Q NAND Flash終端產(chǎn)品的銷售量。
4月份NAND Flash市場(chǎng)在上述這些供給及需求面的多空因素相互影響下，預(yù)期NAND Flash合約價(jià)格可望維持大致穩(wěn)定，但隨著日本東北及關(guān)東(Kanto)地區(qū)的限電因素在2Q中逐漸獲得改善后，預(yù)期NAND Flash合約價(jià)格將可能會(huì)轉(zhuǎn)為反應(yīng)2Q中的淡季效應(yīng)而走軟。
三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。
海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
海力士DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的運(yùn)行速度高達(dá)2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時(shí)運(yùn)行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數(shù)據(jù)傳輸帶寬高達(dá)19.2GB/s。
海力士計(jì)劃2012年下半年開始批量生產(chǎn)這種高性能DDR4內(nèi)存，主要提供給微型服務(wù)器(micro server)市場(chǎng)，暫無消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品規(guī)劃。
市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli認(rèn)為，DDR4 DRAM在整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)上的份額2013年約為5％，2015年即可超過50％成為主流，同時(shí)DDR3 DRAM內(nèi)存在2012年達(dá)到71％的份額高峰，2014年就會(huì)迅速滑落到49％。
U盤訂購(gòu)熱線:0755-84524848 手機(jī)：13928466681 QQ: 384029020 24小時(shí)手機(jī)接聽:139 2846 6681 電郵：samuel@torovo.com 或與在線客服人員聯(lián)絡(luò)。欲了解更多U盤信 息請(qǐng)進(jìn)正益通U盤廠家的U盤定制網(wǎng)站：http://www.pingyuled.cn 大客戶聯(lián)系: 13926502725 海外銷售: 0086-755-33078349
點(diǎn)擊更多U盤生產(chǎn)車間視頻實(shí)錄以上就是正益通U盤生產(chǎn)廠家事業(yè)部對(duì)于海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒話題的介紹，還有什么不了解的地方請(qǐng)直接咨詢U盤工廠在線客服，她們會(huì)一一為您解答。